輸入電壓范圍：DC24V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶(hù)指定值Q20UDEHCPU用戶(hù)手冊(cè)。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作Q20UDEHCPU
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失Q20UDEHCPU用戶(hù)手冊(cè)。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。更換用電池。
初始電壓3.0V。
大容量電池帶底座Q20UDEHCPU用戶(hù)手冊(cè)。
電流容量：5000mAh。
使用壽命：5年。FL-net（OPCN-2）Ver.2.00接口。
10BASE2用。
實(shí)時(shí)傳輸控制數(shù)據(jù)，為提高生產(chǎn)效率和設(shè)備價(jià)值提供支持的高速數(shù)據(jù)通信模塊。
可經(jīng)由以太網(wǎng)，將與順序掃描同步的高精度數(shù)據(jù)傳輸?shù)絇C上的用戶(hù)程序。
實(shí)現(xiàn)了以往通信方式無(wú)法實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)控制數(shù)據(jù)傳輸，
利用用戶(hù)應(yīng)用程序進(jìn)行實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析，
為提高生產(chǎn)效率和設(shè)備價(jià)值提供支持三菱Q20UDEHCPU手冊(cè)。
與應(yīng)用目的和用途相匹配的最佳網(wǎng)絡(luò)，
實(shí)現(xiàn)各分層系統(tǒng)間的無(wú)縫通信。
通過(guò)網(wǎng)絡(luò)化加強(qiáng)信息通信能力。
這同樣是自動(dòng)化領(lǐng)域面臨的大課題。
Q系列提供的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境
是真正意義上的開(kāi)放&無(wú)縫。
包括基于通用以太網(wǎng)，
實(shí)現(xiàn)輕松管理環(huán)境的“ CC-Link IE Control”控制器網(wǎng)絡(luò)，
以及在其管理下實(shí)現(xiàn)了高速、大容量傳輸?shù)摹?CC-Link IE Field”現(xiàn)場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)三菱Q20UDEHCPU手冊(cè)。
還包括日本首創(chuàng)、達(dá)到世界標(biāo)準(zhǔn)，
并獲得了SEMI認(rèn)證的現(xiàn)場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)“ CC-Link”，
和繼承了其設(shè)計(jì)理念的省配線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)“ CC-Link/LT”三菱Q20UDEHCPU手冊(cè)。
而且支持傳感器網(wǎng)絡(luò)“ AnyWire”，
以充實(shí)的陣容靈活地整合自動(dòng)化網(wǎng)絡(luò)的各分層。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：30K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：120KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲(chǔ)卡I/F：SD存儲(chǔ)卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過(guò)多多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制Q20UDEHCPU內(nèi)置以太網(wǎng)端口通信篇。
通過(guò)順控程序的直線(xiàn)和多CPU間高速通通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制Q20UDEHCPU用戶(hù)手冊(cè)。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率最大化。
此外，最新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制。